투데이코리아=서승리 기자 | 인텔이 내년부터 고개구율 극자외선(High-NA EUV) 도입하고 1나노급 공정 양산에 드라이브를 건다.
 
인텔은 최근 High-NA EUV 노광장비 조립이 완료됐다고 19일 밝혔다. 노광 선두업체 ASML사 제품인 인텔의 ‘트윈스캔 EXE:5000’은 조정(calibration) 단계 진행 중에 있으며, 첨단 공정 로드맵 개발에 사용될 예정이다.
 
또한 High-NA EUV 장비는 첨단 칩 개발과 인텔 18A 이후 차세대 프로세서 생산에서 핵심적인 역할을 할 예정이다.
 
마크 필립스 인텔 펠로우는 이와 관련해 “하이 NA EUV 추가로, 인텔은 업계에서 가장 다방면의 노광 장비를 보유하게 됐다”며 “2025년 이후 인텔 18A를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 되었다”고 밝혔다.
 
이번 장비 도입을 통해 인텔 파운드리는 칩 제조에서 정밀도와 확장성을 확보하고, 자율주행이나 기타 첨단 기술 발전을 도모하는데 필수적인 혁신적인 기능을 갖춘 칩을 개발할 수 있게된다고 전했다.
 
또 인텔 파운드리의 다른 주요 공정 기술 역량과 결합해 High-NA EUV는 기존 EUV 장비보다 최대 1.7배 미세하게 전사할 수 있을 것이라는 관측도 나오고있다.
 
인텔은 이를 통해 2D 기능의 확장이 가능해 집적도가 2.9배 향상될 것으로 보고있으며, 더 미세하고 집적도가 높은 칩형태화(patterning)를 이끌며 ‘무어의 법칙’을 계승하고 있다고 전했다.
 
무어의 법칙은 인텔의 공동 설립자 고든 무어가 1965년에 내놓은 이론으로 반도체집적회로의 성능이 2년마다 2배로 증가한다는 법칙으로 반도체 기술 발전이 점진적으로 속도를 더해가고 있음을 의미한다.
 
인텔은 2025년 인텔 18A 제품 검증을 시작으로 인텔 14A 생산에 이르기까지 첨단 칩을 개발 및 제조할 때 다른 노광 공정과 함께 0.33NA EUV 및 0.55NA EUV를 모두 사용할 예정이다.

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