IBM 연구원들이 100㎓ 그라펜 기반 와이퍼 크기 기기를 만들만들 수 있는 초고속 트랜지스터 설계에 돌파구를 만들어냈다고 합니다. 그리고 이것은 시작에시작에 불과하다고 합니다.

 트랜지스터에서 연구자들은 240 나노미터의 게이트 길이<SUP>1</SUP> 를 가진 상대적으로 큰 것을 만들었다고 합니다.

 전계효과 트랜지스터에 IBM팀은IBM팀은 그라펜(graphene)<SUP>2</SUP> 의 "매우 높은 캐리어 이동성"을 활용해 개발했다고개발했다고 Science 저널의 논문에서 간략하게 밝히고 있습니다.

 이 엄청나게 얇은 시트는시트는 실리콘 에피택셜(epitaxial)<SUP>3</SUP> 위에서 성장합니다. 그라펜 시트는 육각형, 벌집구조를벌집구조를 가집니다.

 그라펜은 오랫동안 우수한 전자 이동성을 가진 것으로 알려져 왔지만,왔지만, 띠 간격(band gap)<SUP>4</SUP> 의 생성을 심각하게 막는 것은 여전했다. IBMIBM 연구팀의 돌파구는 그라펜 기반 트랜지스터 내에서 이 띠 간격을 생성하는 것이다.것이다.

  IBM 연구소의 성명서에서, 과학/기술 부문 부사장인 T.C. ChenChen 박사는 "그라펜의 핵심 장점은 전자 전달면에서 매우 높은 속도에 위치해 있어,있어, 고속, 고성능 차세대 트랜지스터를 달성하는데 필수불가결하다. 우리는 발표하는 돌파구는 그라펜이 고성능고성능 기기와 집접회로 생산에 활용될수 있음을 확실하게 보여줍니다."

 돌파구의 핵심은 논문에서논문에서 "계면 중합체 층"이라 불리는 메탈 게이트 절연체로부터 그라펜 시트를 격리시키는 것입니다.것입니다. 비록 게이트의 길이가 큰 240㎚이긴 하지만, IBM은 "게이트 길이를 축소함으로써 차후차후 성능의 최적화를 꾀할 여지는 풍부하다"라고 강조했습니다.

 하지만 이 게이트 길이와길이와 개발 초기단계임에도  IBM의 그라펜 트랜지스터는 같은 게이트 크기의 "첨단기술을 사용한" 실리콘실리콘 금속산화막 반도체 FET로 달성한 것<SUP>5</SUP> 의 250%의 속도를 이미이미 달성했습니다.

 또한 주목해야할 점은 그라펜 트랜지스터의 100㎓ 성능이 실온에서라는 사실입니다.사실입니다. 냉각시에는 더 높은 성능이라는 것을 예상할수 있습니다.